【TechWeb報道】6月29日，國外媒體報道，韓國三星電子承諾在美國德克薩斯州投資10到16億美元，建立一家半導(dǎo)體工廠。

有傳聞稱，三星將在明年的旗艦智能手機(jī)GalaxyS9上配備8nm甚至7nm的處理器。

本年三星推出的以GalaxyS8為代表的智能手機(jī)，采用10nm的驍龍?zhí)幚砥骱虴xynos處理器。明年三星將把芯片提高到7nm，到了2020年計劃生產(chǎn)4nm的處理器。

從目前來看，三星想要完成這個計劃具有相當(dāng)?shù)碾y度，因?yàn)橐坏┥a(chǎn)工藝創(chuàng)新到5nm以下，，良品率會變得非常低。

1997年三星在美國德克薩斯州奧斯汀市投資設(shè)立了半導(dǎo)體生產(chǎn)工廠，隨后成為全世界最先進(jìn)的芯片工廠，一直為蘋果等大客戶和自家公司生產(chǎn)芯片。（周林）